近日，韩国 SK 海力士宣布，成功开辟出业界第一款 HBM3 DRAM 内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一路，采取多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。

今朝 HBM DRAM 已经成长到了第四代，HBM3 进一步晋升了单片容量以及带宽。海力士表示，2020 年 7 月便开端量产 HBM2E 内存，为全球首批量产这种芯片的企业。

最值得一提的是，SK 海力士最新的 HBM3 芯片，单片最大年夜容量可达 24GB，最高带宽达到了 819 GB/s，比拟 HBM2E 晋升了 78%。不仅如斯，产品还支撑片上 ECC 纠错，明显进步了靠得住性。

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除此之外，这款 HBM3 内存供给 16GB 和 24GB 两种类型，分别为 8 层和 12 层堆叠，每层容量 2GB。工程师将单片芯片的高度磨削至 30 微米厚，相当于 A4 纸的三分之一。然后，应用 TSV 硅通孔技巧将这些芯片堆叠在一路，最终进行封装。

这款芯片可以用于高机能 CPU，或者专用计算加快卡，可以明显进步人工智能、机械进修运算的机能，有助于科学研究、药物开辟、气候变更分析等。