SK 海力士方才宣布了 HBM3 DRAM 存储器的最新开辟进展，可知新一代内存标准不仅带来了更高的带宽，还可经由过程垂直堆叠来增长容量。从客岁 7 月量产 HBM2E 内存开端，该公司就已经在着手 HBM3 新品的研发。跟着今日的通知布告，我们得知 SK 海力士将带来两款衍生型号。

除了基于 8-Hi 客栈的 16GB SKU，SK 海力士还筹划推出由 2GB DRAM 构成 12-Hi 客栈的 24GB SKU，此外该公司提到其已将 DRAM 芯片的层高缩减至 30 μm 。

负责 DRAM 开辟的履行副总裁 搜刮引擎优化n-yong Cha 表示：

自推出全球首款 HBM DRAM 以来，SK 海力士在引领 HBM2E 市场之后，又成功开辟了业内首款 HBM3 DRAM 。

我们将持续尽力巩固自身在高端内存市场的引导地位，并经由过程供给相符 ESG 治理标准的产品，来赞助晋升客户们的价值。

机能方面，SK 海力士估计其 HBM3 DRAM 的每个客栈可供给 819 GB/s 的带宽，较 460 GB/s 的上一代 HBM2E DRAM 晋升了 78% 。

以英伟达 A100 加快卡为例，若在其 GPU 基板上整合 6 个 HBM2E DRAM 客栈，总带宽可冲击 5 TB/s 。然而当前的产品，仅受限于 2.0 TB/s 。

此外假如应用 24GB 的 HBM3 DRAM 芯片，其理论总容量可达到 144 GB 。即使推敲到 5 / 6 的良率，也还有 120GB 可用。

WCCFTech 推想，英伟达 Ampere 和AMDCDNA 2 的继任者（Ampere Next 与 CDNA 3），有望率先采取 HBM3 内存。

那样来年的高机能数据中间和机械进修平台，将极大年夜地受益于此。早些时刻，Synopsys 还宣布其正在增长具有 HBM3 IP 和验证解决筹划的多芯片架构设计。